tension de saturation collecteur-émetteur
- tension de saturation collecteur-émetteur
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UКЭнас
UСEsat
[ГОСТ 20003-74]
Тематики
- полупроводниковые приборы
EN
- saturation collector-emitter voltage
DE
- Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
FR
- tension de saturation collecteur-émetteur
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии.
academic.ru.
2015.
Смотреть что такое "tension de saturation collecteur-émetteur" в других словарях:
ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
напряжение — 3.10 напряжение: Отношение растягивающего усилия к площади поперечного сечения звена при его номинальных размерах. Источник: ГОСТ 30188 97: Цепи грузоподъемные калиброванные высокопрочные. Технические условия … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
напряжение насыщения коллектор-эмиттер — Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора. Обозначение UКЭнас UСEsat [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN saturation collector emitter voltage DE Kollektor … Справочник технического переводчика
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер — 7. Напряжение насыщения коллектор эмиттер D. Kollektor Emitter Sättigungsspannung E. Saturation collector emitter voltage F. Tension de saturation collecteur émetteur UКЭнас Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
NPN — Transistor bipolaire Vue interne d un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1980 Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi conducteur de la famille des transistors. Son principe de… … Wikipédia en Français
Technologie bipolaire — Transistor bipolaire Vue interne d un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1980 Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi conducteur de la famille des transistors. Son principe de… … Wikipédia en Français
Transistor bipolaire — Vue interne d un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1970 Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux… … Wikipédia en Français
TRANSISTORS ET THYRISTORS — Dispositif semi conducteur à deux jonctions mis au point, en 1948, par trois chercheurs des Bell Telephone Laboratories (John Bardeen, William B. Shockley et Walter H. Brattain, auxquels on décerna le prix Nobel de physique en 1956), le… … Encyclopédie Universelle
COMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
GEMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
IGBT — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
